Администрация Android сообщила, что процесс продолжает сокращаться, традиционная литография дошла до предела, не может решить проблему более сложной визуализации изображений, мы должны использовать более короткую длину волны EUV, чтобы точно травить схему. 5-нм процесс, EUV является важным инструментом Когда Samsung выпустит 7 нм в следующем году, он возьмет на себя инициативу в принятии EUV, что походит на то, что Samsung начнет гонку в гонке ниже 6 нм, что, как ожидается, ускорит ее развитие.
Напротив, первое поколение TSMC и Grosvenor 7nm, по-прежнему будет использовать традиционную иммерсионную литографию, второе поколение будет использовать EUV.
В дополнение к внедрению процесса EUV необходимо также разработать преемники технологии FinFET. Транзисторная работа контролирует, проходит ли ток через затвор. Однако чем меньше и меньше текущий канал, тем меньше ширина текущего канала, тем сложнее управлять текущим направлением. FinFET, возможно, недостаточно для использования, многие считают, что «Gate-all-around FET (GAAFET) - лучшее решение.
Ранее в этом году Samsung, Googol и IBM вступили в партнерство с выпуском первой в мире 5-нм технологии вафли с использованием технологий EUV и GAAFET. В дорожной карте Samsung также оценивается, что FinFET сложно использовать после 5 нм и GAAFET на 4 нм. R & D нелегко, склонны к задержкам с задержками, но теперь это самый быстрый прогресс в Samsung. По прогнозам компании, самый быстрый производственный план в 2020 году 4 нм, прогресс за пределами той же отрасли, как ожидается, может выиграть.