A Autoridade Android informou que o processo continua a encolher, a litografia tradicional chegou ao limite, não pode resolver a necessidade de uma imagem de exposição mais sofisticada, devemos usar o EUV de comprimento de onda mais curto, para gravar com precisão o circuito. 5nm processo, EUV é uma ferramenta essencial Quando a Samsung produz 7nm no próximo ano, assumirá a liderança na adoção da EUV, que é como dar uma chance à Samsung na corrida abaixo de 6nm, o que deverá acelerar seu desenvolvimento.
Em contraste, a primeira geração do processo TSMC e Grosvenor 7nm, ainda usará a tradicional litografia de imersão, a segunda geração usará EUV.
Além de abraçar o processo EUV, os sucessores da tecnologia FinFET também precisam ser desenvolvidos. A operação do transistor controla se a corrente passa pelo portão. No entanto, quanto menor e menor o canal atual, quanto mais estreita a largura do canal atual, mais difícil controlar a direção atual. FinFET pode não ser suficiente para usar, muitas pessoas pensam que "Gate-all-around FET (GAAFET) é a melhor solução.
No início deste ano, a Samsung, a Googol e a IBM se uniram para lançar a primeira tecnologia de bolachas de 5nm do mundo usando a tecnologia EUV e GAAFET. O roteiro da Samsung também estima que os FinFETs são difíceis de usar após 5nm e GAAFETs em 4nm. A I & D não é fácil, propensa ao atraso dos atrasos, mas agora parece o progresso mais rápido na Samsung. A perspectiva da empresa mostra que o plano de produção mais rápido em 2020, 4nm, além do mesmo setor, pode ser esperado para ganhar.