杨德仁教授长期从事超大规模集成电路用硅单晶材料, 太阳能光伏硅材料, 硅基光电子材料及器件, 纳米硅及纳米半导体材料等研究工作.
杨德仁, 1964年4月出生, 江苏扬州人, 浙江大学半导体材料专业毕业. 现为浙江大学材料科学与工程学院教授, 浙江大学硅材料国家重点实验室主任, 博士生导师.
他的学术贡献: 主要从事半导体硅材料研究, 取得了系列创新成果; 提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路, 系统解决了氮关缺陷的基础科学问题, 促进了其在国际上的广泛应用; 提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路, 发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术, 系统解决了相关硅晶体的基础科学问题, 实现了实际应用; 研究了纳米硅等的制备, 结构和性能, 成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料, 为其器件研究和应用提供了材料基础. 发表SCI论文680余篇, 参编英文著作5部, 授权国家发明专利130余项.
杨德仁院士表示, 当选院士, 仅仅是一个新的起点. 我研究的主要是半导体材料领域, 90%多的电子产品, 都跟硅材料有关. 我希望我在自己工作的领域, 能做出更多的新的贡献. 我特别要强调, 这不是我一个人的功劳, 这是我们所有团队努力的结果.