La Oficina de Patentes de Corea del Sur dijo que los fabricantes surcoreanos deben solicitar la primera pila de patentes 3D DRAM y 3D NAND Flash, impulsando así los cambios en el mercado mundial de la memoria.
Se ha informado de que en 2011, el número de la memoria patentes anteriormente siete empresas en los Estados Unidos para solicitar 417, después de años de crecimiento constante en 2015 a 4.151 piezas. La razón principal es que a medida que la unidad de estado sólido (SSD) la sustitución gradual de HDD general (HDD), la industria fabricantes flash NAND comenzaron a concentrarse en el campo de un gran número de solicitudes de patentes, de acuerdo con DRAMeXchange consultoría de semiconductores Centro de Investigación (DRAMeXchange) nuevo informe, el tercer trimestre se benefició del efecto tradicional de la temporada alta, el principal iPhone energía cinética 8 / X móvil de la marca nueva máquina, así como la demanda de china llevó , se observaron Hynix ingresos del tercer trimestre de $ 1,5 mil millones, en comparación con el crecimiento del trimestre anterior de hasta el 15,4% futura planificación de la capacidad, Hynix a seguir centrándose en la expansión de la capacidad de producción 3D-NAND 48/72 capa que, y en la cuarta temporada 72 capa de la producción en masa 3D-NAND para convertirse en el principal crecimiento en 2018.
Además, Samsung se benefició de los servidores y fabricantes de teléfonos inteligentes en el tercer trimestre de la nueva máquina insignia, el crecimiento de los ingresos del 19,5% respecto al trimestre anterior, llegó a 56,2 millones de dólares EE.UU .. Desde el análisis de capacidad y proceso, Samsung NAND 64-capa Flash desde Desde el comienzo de la producción en masa en el tercer trimestre, ya comenzó a aplicarse a la demanda de terminales móviles y SSD, y los productos de aplicación se ampliarán gradualmente. Se espera que la proporción total de chips 3D-NAND supere el 50% para fin de año.
Vale la pena observar que Samsung está revisando la necesidad de continuar la expansión de NAND Flash y la distribución de la capacidad de DRAM y está considerando reubicar parte del segundo piso de la planta de Pyeongtaek para la producción de DRAM, lo que facilitará que NAND Flash vuelva a suministrar en el futuro. Las condiciones del mercado conducen a la futura estrategia de mercado de Samsung.