10月28日, 北京兆易创新科技股份有限公司 (以下简称 '兆易创新' , 603986.SH) 与合肥市产业投资控股 (集团) 有限公司 (以下简称 '合肥产投' ) 签署合作协议, 双方将在合肥市经济技术开发区空港经济示范区内开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器 (含DRAM等) 的研发, 项目预算达180亿元, 兆易创新与合肥产投将根据1∶4的比例负责筹集, 兆易创新负责筹集约36亿元.
10月31日晚, 兆易创新发布公告称, 拟筹划重大事项. 业界普遍认为, 此举或与上述180亿元存储器项目相关. 而兆易创新向《中国经营报》记者表示, 具体事宜暂不便透露, 以后续公告为准.
Nor Flash市场突变
兆易创新是国内的存储器行业巨头, 一直以生产Nor Flash (代码型闪存芯片) 存储器和MCU微控制单元为主. 自今年初以来, 全球Nor Flash市场供需结构变化巨大, 一方面, 一批老牌厂商相继退出市场; 另一方面, AMOLED屏幕, 车载芯片与物联网芯片的需求又在进一步扩大, 作为为数不多的Nor Flash存储器厂商, 兆易创新在这一轮市场变化中获利颇丰.
2017年1~ 9月, 兆易创新实现营收15.17亿元, 同比增长44.69%; 归母净利润3.92亿元, 同比增长153.48%; 其中第三季度实现营收5.78亿元, 同比增长47.01%, 环比增长18.9%; 归母净利润1.6亿元, 同比增长192.51%, 环比增长45.4%.
早在今年年初, 兆易创新在Nor Flash存储器的市场份额还只有16%, 整体市场主要由美光科技 (NASDAQ:MU) , 赛普拉斯 (NASDAQ:CY) 和旺宏电子, 华邦电子为主. 由于Nor Flash芯片为AMOLED屏幕的关键组件之一, 伴随着AMOLED屏幕的大批量应用及国产OLED屏幕的正式量产, 今年Nor Flash芯片的供给已经吃紧. 然而今年2月, 美光科技决定集中资源增产3D NAND Flash芯片, 开始淡出Nor Flash市场; 5月, 另一家美系厂商赛普拉斯也决定将生产策略转向车用及工业用规格市场, 对中低容量的Nor Flash芯片开始逐步减产. 两家美系大厂全球份额超过四成, 淡出生产后对市场的后续供货影响深远, 大批订单开始向台系的旺宏电子, 华邦电子及国产厂商兆易创新转移.
市场格局突变, 但厂商的增产计划在明年上半年才可以见效. 其中华邦电子宣布到今年底月产能由4.4万片, 增至4.8万片, 未来再增加到5.2万~ 5.3万片; 而旺宏电子主要以调整制程结构为主, 产能增加有限. 另有消息称兆易创新在6月便开始谋求扩产, 然而受制于上游硅晶圆缺货, 中芯国际难以为兆易创新提供支持. 这一情形在9月出现转机. 9月5日, 兆易创新发布公告, 拟与中芯国际签署战略合作协议, 至 2018 年底之前向中芯国际购买至少12亿元的原材料晶圆.
有消息称, 中芯国际承诺每月提供2.5万片产能给兆易创新, 为其代工生产Nor Flash存储器, 以目前全球Nor Flash存储器每月产量约8.8万片计算, 增产的数量近三成之多, 不仅可以大幅缓解当前市场的缺货现象, 也有助于兆易创新进一步扩大自身的市场占有率. 记者曾向兆易创新核实此增产信息的真实性, 但其工作人员表示, 企业产能数据为商业机密, 暂不便向外透露.
项目存不确定性
自去年年中开始, 全球DRAM存储颗粒一直处于供不应求的状态, 导致内存价格一路高涨. 面对日益扩大的市场需求, 兆易创新也力图在DRAM内存颗粒业务上有所突破.
此前, 业界就已传出兆易创新将与合肥长鑫 (合肥产投全资子公司) 合作发展DRAM内存芯片业务的消息. 10月28日, 该消息得以确认, 项目预算达180亿元.
事实上, 兆易创新谋求进军DRAM产业的野心早已有之. 记者注意到, 早在今年4月, 兆易创新曾准备增发约3128万股以购买北京硅成半导体有限公司100%股权, 以谋求在DRAM内存颗粒业务方面有所作为, 当时双方确定的交易价格为65亿元. 然而8月9日, 兆易创新公告称北京硅成主要供货商认为双方在重组后会成为其潜在的有力竞争对手, 因此要求北京硅成补签协议, 约定重组完成后有权向北京硅成终止供应合同. 随后, 兆易创新与北京硅成的重组宣告终止.
重组失败两个多月后, 兆易创新决定牵手合肥产投, 开始参与国产DRAM颗粒的研发工作, 根据协议, 双方的目标是在2018年12月31日前研发成功, 即实现产品良率不低于10%.
目前国内主流存储器芯片的参与者主要有三家, 分别是国家集成电路产业投资基金和紫光集团共同投资的长江存储, 福建晋华和合肥长鑫. 长江存储初期定位于3D NAND Flash芯片的生产, 后期将进行DRAM产品的开发; 而福建晋华与合肥长鑫则主攻DRAM内存颗粒, 其中福建晋华与台企联华电子合作. 根据三家企业的规划, 研发与投产均将2018年定为关键节点. 如果届时合肥长鑫试生产成功, 考虑到当前全球内存行业处于高位状态, 作为合作方的兆易创新自然可以在经济, 技术方面取得可观的收益.
但由于此前国内企业并无DRAM颗粒的研发, 生产经验, 加之合肥长鑫直接将研发目标定在了当前最先进的19nm制程工艺, 因此各方对DRAM项目能否成功依旧持观望态势. 尤其在今年10月, 有台湾媒体报道称合肥长鑫及福建晋华试产DRAM颗粒失败, 良品率全部为0. 尽管此消息并未得到上述厂家的证实, 但也从侧面反映出DRAM项目技术门槛高, 研发难度大这一事实.
兆易创新在公告中提到, 受人才引进, 知识产权和设备进口等因素影响, 合肥DRAM项目研发能否成功存在不确定性, 即使研发成功后, 产品良率能否提升, 能否实现量产也存在较大不确定性. 而且从研发成功至量产并形成销售, 也需要长达数年时间, 对公司2018年及以后的财务状况和经营业绩的影响具有不确定性.