DRAMeXchange分析师刘家豪指出, 进入第四季, 在服务器出货动能不减的情况下, 整体Server DRAM供不应求的状况将更为明显, Server DRAM第四季合约价将持续上涨6%至10%, 可望带动厂商营收与利润率表现再创新高.
三星 (Samsung)
以目前市场规模来看, 三星受惠于整体DRAM市场占有率与制程技术领先, 在市场上Server DRAM表现格外亮眼. 值得一提的是, 三星在高容量模组与布局也相对积极, 第三季度整体Server DRAM营收来到25.49亿美元, 季增28.4%, 占整体市场约45.9%.
展望第四季度, 来自于服务器的需求将达到今年的顶峰, 高容量的模组需求也随着新平台导入进而攀升至年度高点, Server DRAM仍然供不应求. 然而, 三星现阶段仍然会持续针对各家OEM/ODM调整供货达标率, 以达成满足主要客户需求与提高获利水位的目标.
制程方面, 三星今年Server DRAM仍以20nm产出为主, 18nm比重在第四季度将会提升至40%, 预期至2018年第一季底将逾五成, 逐渐成为主流产品. 在高容量芯片的规划上, 三星将会在其18nm导入16Gb mono die的设计, 目前已送样品至英特尔测试, 预计在2018度第二季度导入生产线, 预期将大幅改善Server DRAM的成本结构, 并有利于高容量模组布局.
SK海力士 (SK Hynix)
受惠于北美数据中心备货需求带动, SK海力士第三季营收较第二季大幅成长30.1%至17.92亿美元, 营业利益率也较第二季改善许多. 若从制程进展来看, SK海力士Server DRAM仍以21nm为主, 而18nm Server DRAM将会在2018年第一季底小量生产, 预计在第二季度后产能逐步释放, 且随着ODM认证进度与良率改善下, 18nm产量比重将会进一步提高.
从产能规划来看, SK海力士将会逐渐提高M14 Phase 1的产能以及无锡厂18nm制程转换, 其中Server DRAM将占其DRAM产品比重逾三成, 部分产能将会随着市场需求而略为调整, 以维持获利水平. 面对服务器订单的热络, 除了产品线调整外, SK海力士也会提高高容量模组如32G与64G的出货占比, 预期明年高容量模组的出货将会提升至六成水位.
美光 (Micron)
受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益, 美光第三季度Server DRAM位出货量较前一季度成长, 平均销售单价也有局部的跃升, 激励Server DRAM产品营收成长达13%来到12.07亿美元.
从产品面来分析, 美光在Server DRAM的比重仍然维持在近三成水位, 现阶段获利的持续增长完全有赖于内存平均销售单价的提升. 展望明年, 美光将会随着其17nm进展与改善而进行增产; 截至目前, 其良率已有进一步提升且已送样, 但在Server DRAM产品线的规划上, 仍将会视明年第二季后, 良率是否能达到经济规模下才会增加投片, 现阶段仍然以既有的20nm为主要产品.