Memristor a été proposé pour la première fois par le professeur CAI Shaotang de l'Université de Californie à Berkeley en 1971. Le concept est dérivé de la combinaison de «mémoire» et «résistance» .Il croit que la résistance, Les condensateurs et les inductances représentent les relations entre les quatre éléments importants de tension, courant, charge et flux dans l'électronique, mais l'élément qui représente la relation entre la charge et le flux magnétique n'existe pas encore et est donc appelé memristor.
caractéristiques de résistance Memristor qui ne sont pas fixés, en raison des différences de charge est modifiée par, en l'absence de charge à travers la valeur de résistance restera en finale plutôt que par le changement. Si la charge coule dans la conduite d'eau, la résistance est le diamètre du tuyau, tout comme le memristor d'eau modifier la taille largeur de la conduite d'eau (charge) si grands débits, et en ce que l'eau sera plus épaisse (résistance accrue) ;. eau (charge) si le débit est trop faible que l'eau peut devenir mince (réduction de la résistance), si l'eau est arrêté, l'eau va maintenir le diamètre final.
L'utilisation des caractéristiques memristor pour créer de la mémoire, même si l'alimentation est coupée pour sauvegarder le contenu des données, mais aussi à un espace plus petit pour stocker les données, assez pour remplacer la mémoire flash existante. En outre, memristors et synapses cerveau humain Peut aider à simuler les caractéristiques du cerveau humain et accélérer les progrès de l'intelligence artificielle.Mais en raison de difficultés techniques, le concept de memristor est seulement considéré comme une existence théorique.
2007 Hewlett-Packard (HP) annoncé par le Richard Stanley Williams a dirigé l'équipe a développé avec succès un memristor solide, le dioxyde de titane inorganique memristor comme matière première, en formant un film à deux couches. HP compte non seulement remplacer l'utilisation de memristor mémoire flash, il faudrait construire un nouveau type d'ordinateur. Alors que HP a annoncé qu'elle coopérera avec SK Hynix en Corée du Sud Semiconductor Inc. (SK Hynix), le lancement du produit memristor en 2013, mais restent encore en l'année 2010 l'étape du tonnerre.
L'équipe internationale des universités singapouriennes, l'Association indienne des sociétés scientifiques (IACS) et l'Université de Yale ont choisi des matériaux organiques comme matières premières pour créer un nouveau memristor fait de métal de transition ruthénium et le matériau organique 'ligands azo-aromatiques' Et même si la composition des molécules organiques est assez stable.Le nouveau type de memristor organique en 50 nanosecondes pour passer à l'état, et peut enregistrer des données dans des conditions de non-puissance jusqu'à 11 jours.Plus important, ce memristor organique N'est ni rare ni dangereux, techniquement facile à fabriquer et à coût compétitif avec les technologies existantes, a déclaré le chef d'équipe Thirumalai Venky Venkatesan, qui cherchera un partenaire industriel pour tirer parti des capacités du matériau.
Bien que cela prenne un certain temps avant qu'il ne soit effectivement lancé sur le marché, le véritable succès de ce memristor renversera considérablement l'industrie électronique et changera la vie quotidienne des gens, étant donné sa capacité et ses caractéristiques.