최신 65V LDMOS는 설계를 가속화하고 출력 전력을 증가시킵니다.

모잠비크 전자, MRFX1K80H 크리스털을위한 NXP의 최신 LDMOS 기술 제공

Mouser Electronics는 오늘 NXP Semiconductors 사의 MRFX1K80H LDMOS 트랜지스터를 공급하기 시작했다 .MRFX1K80H는 최신 LDMOS 기술을 사용하는 MRFX RF MOSFET 트랜지스터 제품군 중 하나이다. LDMOS 기술을 사용하면 적절한 출력 임피던스를 유지하면서 광대역 애플리케이션의 출력을 높일 수 있습니다.

Mouser는 1.8 ~ 470MHz의 RF 애플리케이션 및 65 : 1 VSWR의 모든 위상 각에서 65V에서 1800W CW를 갖는 NXP MRFX1K80H LDMOS 트랜지스터를 제공합니다. 옴 임피던스 정합은 전반적인 개발 시간을 단축시키는 데 도움이됩니다.

MRFX1K80H는 높은 파괴 전압, 높은 신뢰성 및 더 높은 효율로 30V에서 65V까지의 확장 된 전력 범위를 위해 설계되었으며 시스템 전압이 증가하고 전류 강하, DC 전원 공급 장치에 가해지는 스트레스를 제한하고 자기 복사를 감소시킵니다 장치의 출력 전력을 증가 시키면 병합 된 트랜지스터의 수를 줄이는 동시에 전력 증폭기의 복잡성을 단순화하고 전체 크기를 줄이는 데 도움이됩니다.

MRFX1K80H는 Class C의 작동을 향상시키기 위해 ESD (Integrated Electrostatic Discharge) 보호 기능을 제공하기 위해 적절한 편차가있는 선형 애플리케이션에 적합합니다. MRFX1K80H 용 앰프에는 방송, 우주 항공 및 모바일 라디오뿐만 아니라 산업, 과학 및 의료 (ISM) 애플리케이션이 포함됩니다. 장비.

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