El transistor NXP MRFX1K80H LDMOS es capaz de entregar 1800W de potencia a 65V de onda continua para aplicaciones de RF de 1.8 a 470 MHz y proporciona una relación de onda estacionaria de voltaje de 65: 1 (VSWR) en todos los ángulos de fase. Con impedancia coincidente de 50Ω para reducir el tiempo total de desarrollo El MRFX1K80H está diseñado para su uso en una fuente de alimentación extendida de 30V a 65V con alto voltaje de ruptura para mejorar la confiabilidad y la eficiencia. Esta capacidad de alto voltaje también reduce la corriente del sistema. De este modo, se limita la tensión en la fuente de alimentación de CC y se reduce la radiación magnética. La alta potencia de salida también reduce la cantidad de transistores, simplifica la complejidad del amplificador de potencia y reduce los costes generales.
El MRFX1K80H es adecuado para aplicaciones lineales con polarización adecuada y proporciona protección de descarga electrostática (ESD) integrada para mejorar el rendimiento del amplificador de Clase C. Las aplicaciones de destino del MRFX1K80H incluyen aplicaciones industriales, científicas y médicas (ISM) y radios de radiodifusión, aeroespaciales y móviles Equipo