Le transistor LDMOS NXP MRFX1K80H est capable de délivrer une puissance de 1800 W sous une onde continue de 65 V pour des applications RF de 1,8 à 470 MHz et fournit un rapport d'onde stationnaire de tension de 65: 1 à tous les angles de phase. Doté d'une impédance de 50Ω pour réduire le temps de développement global Le MRFX1K80H est conçu pour être utilisé dans une alimentation étendue de 30V à 65V avec une tension de claquage élevée pour améliorer la fiabilité et l'efficacité. Ainsi, en limitant la tension sur l'alimentation en courant continu et en réduisant le rayonnement magnétique, une puissance de sortie élevée réduit également le nombre de transistors, simplifie la complexité de l'amplificateur de puissance et réduit les coûts globaux.
Le MRFX1K80H convient aux applications linéaires avec polarisation appropriée et offre une protection intégrée contre les décharges électrostatiques (ESD) pour améliorer les performances de l'amplificateur de classe C. Les applications cibles du MRFX1K80H incluent les applications industrielles, scientifiques et médicales (ISM) et les radios broadcast, aérospatiales et mobiles Équipement