Récemment, Samsung Electronics a annoncé un nouveau procédé de fabrication de 11nm FinFET «11LPP» (Low Power Plus), et a confirmé que le prochain processus de 7 nm sera la lithographie UV très UV.
Le processus Samsung 11LPP n'est pas nouveau, mais la fusion 14nm, 10nm, d'une part en utilisant 10nm BEOL (processus back-end), peut réduire considérablement la surface de la puce, d'autre part suivre la partie process des éléments LPP 14nm.
Samsung en Octobre 2016 10LPE (10nm Low Power Early), et est prêt à être mis en production 10LPP (10nm Low Power Plus), principalement pour les puces de fabrication de téléphones intelligents, processus 14nm pour les puces grand public, faible puissance et compactes.
La prochaine étape, Samsung va augmenter la version 14LPU, 10LPU.
Le processus 11LPP remplira le Samsung 14nm, 10nm entre le blanc, connu comme le même nombre de transistors et la consommation d'énergie que le processus 14LPP pour améliorer les performances de 15%, ou réduire la consommation d'énergie de 10%, tandis que la densité du transistor s'est améliorée.
Samsung envisage de mettre le processus 11LPP au premier semestre de 2018.
À l'avenir, Samsung a également préparé un processus de 9nm, 8nm, 7nm, 6nm et 5nm, dont la version 7nP 7LPP sera une lithographie ultraviolette extrême EUV entièrement intégrée, confirmé la production d'essai de la deuxième moitié de l'année 2018.
Il est également rapporté qu'au premier semestre de l'année prochaine, Samsung utilisera d'abord EUV sur des couches spécifiques du processus 8LPP.
Samsung a déclaré que, depuis 2014, utilise la technologie EUV pour faire face à près de 20 millions de wafers et a obtenu des résultats fructueux, tels que 256Mb SRAM ont atteint 80%.