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1. TSMC fábrica 3nm confirmó se estableció en la sucursal del sur, Zhang Zhongmou: 2nm después de la muy difícil;
Según el anuncio de TSMC, después de la evaluación interna de la compañía, la construcción de 3 nanómetros seguirá estableciéndose en Taiwán, y seleccionar Tainan como un sitio de construcción, y este anuncio, dijo antes TSMC, será en 2018 El momento de decidir establecer fábricas con antelación.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, de 29 años, dijo hoy, después de una cuidadosa evaluación, la Compañía realizó San nanómetros proceso de fabricación avanzado para construir la nueva inversión de la planta, que será fijado por el Parque Científico del Sur de Taiwan en el parque de Tainan para dar continuamente el juego completo a la empresa en el El parque tiene un acuerdo completo y ventajas de la cadena de suministro.Taiji empresa y por el compromiso del Gobierno claro para resolver la tierra, el agua, suministro de energía, protección del medio ambiente y otras cuestiones relacionadas expresó gratitud y agradecimiento.
De acuerdo con fuentes de la industria señaló que la decisión de 3 nm de TSMC permanecer en Taiwán, ha sido previamente puesto de manifiesto signos, incluyendo muchos de los fabricantes mundiales de equipos de semiconductores y materiales antes, incluyendo materiales fabricante Merck anunció la creación de la "base asiática en Tainan, Kaohsiung Lujhu material de IC aplicado centro de I + D. "equipamiento grabación mundial de semiconductores tiene una cuota de mercado del 50%, 40% del mercado de dispositivos de película delgada de investigación y desarrollo Colin, por primera vez, la línea de montaje en movimiento en alta mar, se estableció en Taiwán. Además, semiconductores avanzados equipos de control de la contaminación La compañía también organiza productos relacionados en Taiwán, y estos son en realidad para captar las órdenes avanzadas de proceso de TSMC.
TSMC 3nm nueva planta se estima para comenzar la producción en masa en 2022, aunque no se anunció la cantidad de inversión, pero el mundo exterior se espera que alcance 16 millones de dólares EE.UU.
En la actualidad, TSMC de 12 pulgadas oblea catorce plantas, obleas de ocho pulgadas seis plantas, y avanzadas de envasado y la planta de pruebas se encuentran en Tainan, otros lugares, incluyendo Hsinchu, Taoyuan, Taichung, y establecer fábricas en Nanjing.Tainan en esta etapa es TSMC 20nm y 16nm proceso centro de producción, el próximo 5nm y 3nm proceso se espera que se unan.
TSMC dijo que el gobierno ha hecho un compromiso claro para resolver la tierra, el agua, el suministro de energía, la protección del medio ambiente y otros temas relacionados, expresó positivo y gracias al mundo exterior se espera, además de la tierra, el agua, la electricidad y otras cuestiones de infraestructura, seguimiento TSMC 3nm EIA nueva planta, Para ayudar a eliminar barreras de inversión innecesarias.
TSMC planificación de la última en la primera mitad del próximo año decidió 3nm nueva dirección de la planta, a pesar de los rumores anteriores no descartó establecer fábricas en los Estados Unidos, pero finalmente decidió instalarse en la División Sur de Taiwán Tainan Park, la compañía es principalmente la esperanza de seguir jugando en el parque Ventajas completas de la cadena de suministro y de la cadena existente.
Para TSMC, la empresa en el proceso de seguimiento del proceso avanzado principales competidores, el proceso de 10nm ha sido la producción en masa, la producción de 7nm proceso de prueba, se espera que el próximo año, la producción en masa de ingresos por inyección, además, 7nm versión mejorada de la configuración ultravioleta extrema Programa, también se planificó en la segunda mitad de la producción de 2019. Posterior de 5nm proceso de planificación en la producción de 2020, el próximo proceso de 3nm será la producción de 2022, los cinco años del plan de proceso técnico ha sido visible.
TSMC presidente Zhang Zhongmou dijo antes, la ley de Moore también puede continuar por 10 años, 3nm proceso debe estar fuera, 2nm hay incertidumbre, 2nm después de que es difícil.
Zhang Zhongmou dijo que TSMC producirá proceso de 7nm el próximo año, 5nm se ha desarrollado casi, saldrá, 3nm también ha hecho 2 a 3 años, parece que saldrá.
Zhang Zhongmou señaló que el diseño de proceso avanzado es muy caro, el diseño realizado después de que el chip, el mercado será muy pequeño es una duda, cree que, aunque el mercado no garantiza mucho, pero habrá un mercado.
Zhang Zhongmou explicó que predijo Ley de Moore puede tener otros 10 años, es incluir el proceso de 3nm, 2nm hacer o no, pero también unos años sabrá, hay incertidumbre, 2nm después de la muy difícil.
2. JP Morgan Chase: el boom de la fabricación de chips conducirá a los precios de los materiales de aplicación;
JP Morgan Chase revalorizó la "reserva" de inversiones de capital de fabricantes de equipos de semiconductores y espera que las ganancias de las ganancias del próximo año superen las expectativas de Wall Street.
"Creemos que los próximos años debido a una gama más amplia de la mezcla de productos y la demanda, la fabricación de semiconductores y almacenamiento de memoria de productos de los medios de mercado crecerá rápidamente, y los próximos dos o tres años, el sector de la pantalla mostrará una tendencia de rápido crecimiento. El analista Harlan Sur señaló en un informe (compilado /
3. Tecnología basada en grid 8SW RF-SOI para la próxima generación de aplicaciones móviles y 5G;
(GLOBALFOUNDRIES) ha anunciado hoy la primera solución de fundición SOI basada en silicio basada en hojillas de 300mm.La tecnología SOI de 8SW es la tecnología RF SOI más avanzada, que puede ser 4G LTE y 5GHz por debajo de 5GHz El módulo front-end (FEM) para aplicaciones de comunicaciones móviles e inalámbricas ofrece ventajas significativas de rendimiento, integración y área.
La nueva solución 8SW, de bajo consumo y bajo consumo de energía, puede producir productos con excelente rendimiento de conmutación, amplificador de bajo ruido (LNA) y capacidad de procesamiento lógico en una línea de producción de 300 mm. La tecnología reduce el consumo de energía al 70%, alcanza una mayor capacidad de manejo de voltaje y logra la mejor resistencia en su clase (Ron) y capacidad de apagado (Coff) para reducir la pérdida de inserción a través del alto aislamiento, Mejore el consumo de energía.
"Skyworks continúa proporcionando a nuestros clientes un alto grado de soluciones de personalización para nuestros clientes globales con nuestra amplia experiencia", dijo Joel King, vicepresidente y gerente general de Skyworks Advanced Mobile Solutions. "Trabajando con Grids, Skyworks puede utilizar los mejores de la raza Switch y tecnología de amplificador de bajo ruido para impulsar aún más el desarrollo de la tecnología RF front-end para los dispositivos móviles de próxima generación y la evolución de las aplicaciones de Internet de Cosas.
"Ahora estamos viviendo en una era de interconexión inteligente, y esperamos y necesitamos comunicarnos de manera transparente y confiable de cualquier manera", dijo Bami Bastani, vicepresidente senior de negocios de RF de la bodega, "pero la dificultad de lograr este objetivo Como el equipo de front-end debe ser capaz de manejar más y más bandas de frecuencia y tipos de señal de RF, y han integrado el procesamiento digital y funciones de control. Como líder en la industria de RF, hemos desarrollado un nuevo proceso 8SW para satisfacer la mayoría de los clientes Una necesidad urgente.
Basados en la tecnología RF-SOI de 300mm, los diseñadores pueden proporcionar una plataforma de costo optimizado para el rendimiento, la integración y el consumo de energía de la mejor combinación de programas, y tiene una fuerte capacidad de integración digital.La tecnología Grid core 8SW utiliza un forro especial El esquema de optimización del fondo maximiza el factor de calidad de los componentes pasivos, reduce la capacidad parasitaria del circuito activo y minimiza la diferencia de fase del dispositivo y el oscilación de voltaje que se ejecuta en la banda gigabit.Esta tecnología permite optimizar el bajo nivel de ruido El amplificador alcanza características de ruido de primera clase, así como frecuencias de alta frecuencia y frecuencia de oscilación máxima, ayudando a usar frecuencias 4G y futuros módulos frontales 5G con frecuencias por debajo de 6 GHz para una variedad de aplicaciones de amplificador de bajo y bajo ruido de recepción.
Los productos de tecnología avanzada 8SW se producen en la línea de producción fab de 300mm en East Fishkiel, Nueva York, y su capacidad de producción es a un costo menor para satisfacer la demanda del mercado esperada del mercado.
4. CEO de la red: FD-SOI es la tecnología que China necesita
Al mismo tiempo, las ventajas de la tecnología FD-SOI y RF-SOI son cada vez más prominentes y las ventajas de la tecnología SOI son cada vez más importantes.Las ventajas de la tecnología FD-SOI y RF-SOI son cada vez más importantes. La preocupación también está creciendo.
El 26 de septiembre se llevó a cabo con éxito el quinto Foro FD-SOI de Shanghai, y Sanjay Jha, CEO de la red, llegó al escenario para presentar el tema "Ganar con SOI". ¿Cómo utiliza el núcleo la plataforma FDX® para avanzar en el desarrollo de la tecnología SOI, introducir los últimos logros tecnológicos de la empresa y resumir el estado actual de la tecnología SOI y realizar el futuro de la industria.
Con respecto a la tecnología FD-SOI, la cuestión general en la industria hoy en día es si hay mercado suficiente, si puede construir un ecosistema, las características de la propia tecnología y dónde está el punto de crecimiento del mercado de la era 5G y el discurso de Sanjay responde a estas preguntas Firme la confianza de la industria en la tecnología FD-SOI.
El mercado chino tiene un gran potencial para la tecnología FD-SOI, y el núcleo de la red atribuye gran importancia a it.There son 10 de los 35 clientes que actualmente están trabajando con la tecnología 22FDX ® de China.En febrero de 2017, la red era de doce pulgadas Fabs comenzó oficialmente en Chengdu.En septiembre, el fab acaba de celebrar una ceremonia ritual.La fabulosa velocidad de construcción y la producción futura son increíbles, se puede completar en la primera mitad del próximo año .2017 mayo, la red y Chengdu firmó oficialmente el "FD-SOI Eco-Plan de Acción Industrial", la red cooperará con Chengdu, las dos partes en conjunto en Chengdu para establecer una serie de enfoque en el desarrollo de la propiedad intelectual, centro de diseño de circuitos integrados, e incubación de Chengdu, Las empresas manufactureras para ayudarles a emplear a más de 500 ingenieros para apoyar a las empresas de semiconductores y sistemas para desarrollar productos basados en 22FDX para móviles, interconectados, 5G, Internet de Cosas y el mercado automotriz.
En cuanto a la necesidad de la industria de tecnología FD-SOI, Sangjie cree que principalmente se concentran en: móvil, Internet de Cosas, incluyendo NB-IoT, GPS, NFC, RF, aplicaciones de onda milimétrica, incluyendo 5G, LTE y WiFi y electrónica automotriz, incluyendo microcontroladores La tecnología 22FDX tiene la capacidad de satisfacer las necesidades de la era de la era 5 G. La tecnología 22FDX tiene las características integradas en el nivel de 22GHz, incluyendo el radar ADAS y otros sistemas técnicos, son compatibles con el coche Aplicación.Todo esto indica que la red FDX tecnología amplia gama de aplicaciones, no sólo refleja la demanda del mercado para la tecnología FD-SOI, sino también para promover la propia tecnología FD-SOI para optimizar y actualizar.
22FDX® núcleo celular proporciona un alto rendimiento, bajo consumo de energía, las cosas de bajo coste, los dispositivos móviles solución de corriente integrados, redes de comunicaciones inalámbricas e Internet. Sang Jie destacó celular en comparación con otras técnicas de arte similares núcleo 22FDX®, una máscara más pequeño, menor consumo de energía, mayor densidad, mayor rendimiento. al mismo tiempo, la tecnología de polarización de tensión 22FDX® puede simplificar el diseño, reducir el tiempo de comercialización, y se puede lograr aplicaciones de rendimiento pico a corto plazo. esta técnica es 22FDX® proporcionar una fuerte ventaja, reducir los costes de desarrollo, mientras que también proporciona a los clientes con excelentes soluciones de rendimiento.
Foro, Sang Jie introdujo núcleo celular basada 22FDX® Internet puede ser embebido tecnología en miniatura de memoria de acceso aleatorio magnética (Emram): energía FDX® Emram eficiente y diferenciación, junto con la frecuencia de radio IP y de ondas milimétricas, de modo que el objeto accionado por batería se convierte en 22FDX Sistema de radar de coche en red y piloto automático (SoCs) la plataforma ideal.
Todo el tiempo, el núcleo celular continuamente impulsar la tecnología avance FD-SOI, está actualmente en fase de verificación física importante de IP. Habla, Sang Jie anunció un diseño basado en los resultados de 22FDX el ARM Cortex-A53 y Mali-T820, reducir el área de La reducción en el consumo de energía demuestra el rendimiento de 22FDX.
Con el fin de promover la tecnología FD-SOI desde el diseño hasta el desarrollo de la producción, núcleo celular anunció en 2016 puso en marcha FDXcelerator ™ proyectos de colaboración. FDXcelerator se centra en los sistemas ecológicos 22FDX® tecnología, el sistema puede clientes para reducir el tiempo de lanzamiento al mercado con la ayuda de un núcleo celular y programas de cooperación FDXcelerator, los clientes pueden migrar de como 40nm y 28nm nodos rápidamente a la tecnología FD-SOI para crear 22FDX innovación programa. a partir de septiembre de este año, el número de cooperación de los socios núcleo celular del proyecto desde el año pasado crecimiento del 7 a 33, que muestra la industria para determinar el reconocimiento celular tendencia núcleo y soporte para la tecnología FD-SOI.
Además de 22FDX ®, Sanjay también mencionó la tecnología SOI RF, que cree que el primero está integrado como el centro, RF SOI se centra más en el diseño del módulo de front-end.Número de cuadrícula en el campo de la cuota de mercado de RF en el primer RF SOI La entrega de chips alcanzó los 32.000 millones en la introducción de la última tecnología RF SOI de micro-chip, dijo Sanjay: "Nuestro futuro no es sólo desde el proceso de evolución continua del tamaño, y más investigación y desarrollo de nuestra tecnología para satisfacer las necesidades de nuestros clientes , Para adaptarse a diferentes aplicaciones.
Finalmente, Sanger introdujo la tecnología 12FDX® La tecnología 12FDX se basa en una plataforma FD-SOI de 12 nanómetros con un rendimiento comparable a un FinFET de 10 nanómetros con un mejor rendimiento energético y un menor coste que un FinFET de 14/16 nm La tecnología de semiconductores FDX del núcleo 12 permitirá que los sistemas futuros abarquen aplicaciones que incluyen computación móvil, redes 5G, inteligencia artificial y conducción no tripulada.
"Tenemos todas las aplicaciones, la tecnología, nuestra industria ha sido una poderosa fuerza motriz. Estamos disfrutando de un enorme mercado", dijo Sanjay en la conclusión, "tendremos un certificado de silicio IP, en China Construyendo nuestra fábrica y construyendo un ecosistema para nuestra industria FD-SOI Todo esto demuestra que FD-SOI es la tecnología que China necesita! "Como miembro de la Alianza SOI y patrocinador del actual Foro FD-SOI de Shanghai , La red se complace en ver el desarrollo de la industria, la red también se convertirá en la columna vertebral de la tecnología FD-SOI de China, para jugar su creatividad y liderazgo para mejorar la infraestructura para promover la modernización industrial.