Las dos soluciones se basan en la plataforma FD-SOI de 22 nm de la red, que combina tecnologías RF de alto rendimiento, ondas decimétricas y tecnologías digitales de alta densidad para soportar soluciones integradas de sistema de un solo chip a baja densidad de corriente y Las aplicaciones de alta densidad de corriente pueden alcanzar la frecuencia característica más alta y la frecuencia de oscilación más alta, adecuada para el rendimiento y el consumo de energía son aplicaciones exigentes, tales como LTE-A, banda estrecha de Internet y 5G transceptor celular, GPS WiFi y WiGig Chips integrados, y una variedad de eMRAM tecnología integrada utilizando la Internet de las cosas y las aplicaciones de radar de automóviles.
"A medida que los clientes continúan impulsando el campo de los equipos inteligentes de interconexión, el núcleo de la red también ha introducido productos diferenciados de la serie FDX para ayudar a los clientes a innovar", dijo Gregg Bartlett, vicepresidente de CMOS, El mercado requiere la tecnología RF y analógica para evolucionar, y el núcleo 22FDX-rfa incorpora capacidades RF y analógicas superiores para ayudar a desarrollar productos móviles y de redes diferenciados con ventajas de potencia, rendimiento y costo. El mercado de ondas milimétricas, la tecnología de núcleo 22FDX-mmWave, permite un rendimiento de onda milimétrica incomparable para ofrecer soluciones diferenciadas de haz de rayos y otras soluciones de sistema de onda milimétrica con el menor consumo de energía, el mayor rendimiento y la mejor integración.
La red ha optimizado los productos 22FDX RF y de onda milimétrica para proporcionar soluciones de integración de conmutadores de antenas y amplificadores de potencia de alto rendimiento para aplicaciones de conectividad líderes como redes monolíticas de banda estrecha y sistemas de phased array de haz de 5G milímetro.
Como una alternativa a la tecnología FinFET, 22FDX-rfa no sólo integra estos componentes de módulo front-end, sino que también reduce el ruido térmico y logra la misma amplificación de auto-ganancia en comparación con FinFET, con al menos el doble de la auto-ganancia Al mismo tiempo, el rendimiento de RF es también mejor, y la tecnología FD-SOI en sí tiene una característica que reduce aún más la capa de litografía de inmersión en un 30%.
Las herramientas de diseño de procesos para soluciones avanzadas de memoria no volátil RF y analógica de onda milimétrica y embebidas están disponibles para la creación de prototipos.